സിമൻ്റഡ് കാർബൈഡ് സിൻ്ററിംഗ് പ്രക്രിയയുടെ ഒഴുക്ക്

എന്ന സിൻ്ററിംഗ്സിമൻ്റ് കാർബൈഡ്ലിക്വിഡ് ഫേസ് സിൻ്ററിംഗ് ആണ്, അതായത്, ബോണ്ടിംഗ് ഘട്ടം ദ്രാവക ഘട്ടത്തിലാണെന്ന വ്യവസ്ഥയിലാണ് ഇത് നടത്തുന്നത്.ഒരു വാക്വം ഫർണസിൽ കോംപാക്റ്റ് 1350C-1600C വരെ ചൂടാക്കപ്പെടുന്നു.സിൻ്ററിംഗ് സമയത്ത് കോംപാക്റ്റിൻ്റെ രേഖീയ ചുരുങ്ങൽ ഏകദേശം 18% ആണ്, വോളിയം ചുരുങ്ങൽ ഏകദേശം 50% ആണ്.കൃത്യമായ ചുരുങ്ങൽ ടങ്സ്റ്റൺ കാർബൈഡ് പൊടിയുടെ കണിക വലുപ്പത്തെയും അതിൻ്റെ ഘടനയെയും ആശ്രയിച്ചിരിക്കുന്നു.സിമൻ്റ് കാർബൈഡ്.

എന്ന സിൻ്ററിംഗ്സിമൻ്റ് കാർബൈഡ്പ്ലാസ്റ്റിസൈസർ നീക്കം ചെയ്യൽ, ഡീഗ്യാസിംഗ്, സോളിഡ് ഫേസ് സിൻ്ററിംഗ്, ലിക്വിഡ് ഫേസ് സിൻ്ററിംഗ്, അലോയിംഗ്, ഡെൻസിഫിക്കേഷൻ, ഡിസൊല്യൂഷൻ, പെർസിപിറ്റേഷൻ തുടങ്ങിയവ ഉൾപ്പെടുന്ന സങ്കീർണ്ണമായ ശാരീരികവും രാസപരവുമായ പ്രക്രിയയാണ്. പ്രത്യേക സിൻ്ററിംഗ് സാഹചര്യങ്ങളിൽ.വ്യത്യസ്ത സിൻ്ററിംഗ് ഉപകരണങ്ങളെ ആശ്രയിച്ച് ഈ പ്രക്രിയ വ്യവസ്ഥകൾ വളരെ വ്യത്യാസപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു.

കാർബൈഡ്1atm (1atm=101325Pa)-ൽ താഴെയുള്ള സിൻ്ററിംഗ് പ്രക്രിയയാണ് വാക്വം സിൻ്ററിംഗ്.വാക്വം അവസ്ഥയിൽ സിൻ്ററിംഗ് ചെയ്യുന്നത് പൊടി പ്രതലത്തിൽ ആഗിരണം ചെയ്യപ്പെടുന്ന വാതകവും അടഞ്ഞ സുഷിരങ്ങളിലെ വാതകവും സാന്ദ്രതയുടെ തടസ്സം ഗണ്യമായി കുറയ്ക്കുന്നു, ഇത് വ്യാപന പ്രക്രിയയ്ക്കും സാന്ദ്രതയ്ക്കും അനുയോജ്യമാണ്, കൂടാതെ സിൻ്ററിംഗ് പ്രക്രിയയിൽ അന്തരീക്ഷത്തിലെ ലോഹവും ചില ഘടകങ്ങളും തമ്മിലുള്ള പ്രതിപ്രവർത്തനം ഒഴിവാക്കുന്നു.ലിക്വിഡ് ബോണ്ടിംഗ് ഘട്ടത്തിൻ്റെയും കഠിനമായ ഘട്ടത്തിൻ്റെയും ഈർപ്പം ഗണ്യമായി മെച്ചപ്പെടുത്താൻ ഇതിന് കഴിയും, എന്നാൽ വാക്വം സിൻ്ററിംഗ് സമയത്ത് കോബാൾട്ടിൻ്റെ ബാഷ്പീകരണ നഷ്ടം തടയാൻ ശ്രദ്ധിക്കണം.വാക്വം സിൻ്ററിംഗിനെ സാധാരണയായി നാല് ഘട്ടങ്ങളായി തിരിക്കാം, അതായത് പ്ലാസ്റ്റിസൈസർ നീക്കം ചെയ്യൽ ഘട്ടം, പ്രീ-സിൻ്ററിംഗ് ഘട്ടം,ടങ്സ്റ്റൺ കാർബൈഡ്ഉയർന്ന താപനില സിൻ്ററിംഗ് ഘട്ടം, തണുപ്പിക്കൽ ഘട്ടം.